敏芯股份申请加速度传感器相关专利，避免影响电极固定效果提高产品稳定性

金融界 2024 年 8 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器“，公开号 CN202410888184.3，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：衬底层；结构层，其设置在衬底层的一侧，结构层包括支撑框架部和活动质量块，所示支撑框架部与活动质量块相分离；支撑结构，其支撑连接支撑框架部和衬底层，支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部；在衬底层的厚度方向上，支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请，其在支撑结构中增加了支撑保护部，以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积，减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积，进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果，提高产品的稳定性。

本文源自金融界

敏芯股份取得一种 MEMS 芯片封装结构专利，不占用有效芯片的内部区域

金融界 2024 年 7 月 16 日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司取得一项名为“一种 MEMS 芯片封装结构“，授权公告号 CN221344001U，申请日期为 2023 年 11 月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种 MEMS 芯片封装结构，包括：器件结构，器件结构具有相对设置的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有用于键合的键合区域和用于切割的切割道区域，其中，切割道区域环绕键合区域设置，在键合区域上设置有第一金属体，在切割道区域设置有凸块；衬底基板，在衬底基板的一侧设置有第二金属体和第三金属体；在衬底基板的厚度方向上，第一金属体与第二金属体投影交叠，凸块与第三金属体投影交叠；器件结构的第一表面与衬底基板通过第一金属体和第二金属体相键合，凸块与第三金属体抵接。本实用新型提供的 MEMS 芯片封装结构不占用有效芯片的内部区域，还能通过对反应量的控制有效防止合金溢流，保证键合成品率。

本文源自金融界

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